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TK100L60W,VQ

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请参阅产品规格

制造商编号:
TK100L60W,VQ
制造商:
Toshiba东芝
系列:
DTMOSIV
描述:
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 100A(Ta) 797W(Tc) TO-3P(L)
规格说明书:
TK100L60W,VQ说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 DTMOSIV
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 18 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 360 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 15000 pF @ 30 V
FET 功能 超级结
功率耗散(最大值) 797W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3P(L)
封装/外壳 TO-3PL
标准包装 100

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
100 / PCS
包装
管件
单价:¥249.0551 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥316.247853 ¥316.25
10+ ¥291.657982 ¥2916.58
100+ ¥249.0551 ¥24905.51

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