TK32E12N1,S1X
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- 制造商编号:
- TK32E12N1,S1X
- 制造商:
- Toshiba东芝
- 系列:
- U-MOSVIII-H
- 描述:
- MOSFET N CH 120V 60A TO-220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 120 V 60A(Tc) 98W(Tc) TO-220
- 规格说明书:
- TK32E12N1,S1X说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Toshiba(东芝) |
系列 | U-MOSVIII-H |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 120 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 13.8 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 500µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2000 pF @ 60 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 98W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥12.777831 | ¥12.78 |
10+ | ¥11.449894 | ¥114.50 |
100+ | ¥8.925674 | ¥892.57 |
500+ | ¥7.37339 | ¥3686.69 |
1000+ | ¥5.821026 | ¥5821.03 |
2000+ | ¥5.43296 | ¥10865.92 |
5000+ | ¥5.291834 | ¥26459.17 |