SI4564DY-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI4564DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 10A,9.2A 3.1W,3.2W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书:
- SI4564DY-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A,9.2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 17.5 毫欧 @ 8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 855pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 3.1W,3.2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥12.69804 | ¥12.70 |
10+ | ¥11.362124 | ¥113.62 |
100+ | ¥8.858764 | ¥885.88 |
500+ | ¥7.318061 | ¥3659.03 |
1000+ | ¥5.777426 | ¥5777.43 |
2500+ | ¥5.777426 | ¥14443.57 |