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SI4948BEY-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SI4948BEY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
SI4948BEY-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 1.4W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥12.082516 ¥12.08
10+ ¥10.793334 ¥107.93
100+ ¥8.416156 ¥841.62
500+ ¥6.952485 ¥3476.24
1000+ ¥5.488802 ¥5488.80
2500+ ¥5.488802 ¥13722.00

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