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STGWA75M65DF2

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制造商编号:
STGWA75M65DF2
制造商:
ST意法半导体
系列:
M
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 468 W 通孔 TO-247 长引线
规格说明书:
STGWA75M65DF2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 M
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值 468 W
开关能量 690µJ(开),2.54mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 225 nC
25°C 时 Td(开/关)值 47ns/125ns
测试条件 400V,75A,3.3 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 165 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 长引线
标准包装 600

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
600 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥63.900552 ¥63.90
10+ ¥57.739608 ¥577.40
100+ ¥47.805842 ¥4780.58
500+ ¥44.339369 ¥22169.68

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