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STD65N3LLH5
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- 制造商编号：
- STD65N3LLH5
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ V
- 描述：
- MOSFET N CH 30V 65A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 65A（Tc） 50W（Tc） DPAK
- 规格说明书：
- STD65N3LLH5说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ V |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 65A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.9 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±22V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1290 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | ¥8.68000 | 类似 |
| TK50P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥7.45000 | 类似 |
| IRLR8256TRPBF | Infineon Technologies | ¥6.83000 | 类似 |
| IRFR3709ZTRLPBF | Infineon Technologies | ¥7.91000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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|---|---|---|
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