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TK30E06N1,S1X
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- 制造商编号：
- TK30E06N1,S1X
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- U-MOSVIII-H
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 43A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 43A（Ta） 53W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- TK30E06N1,S1X说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 43A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1050 pF @ 30 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 53W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDP16AN08A0 | Rochester Electronics, LLC | ¥4.68212 | 类似 |
| IXTP70N075T2 | IXYS | ¥20.81000 | 类似 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥3.537873 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.735485 | ￥9.74 |
| 10+ | ￥8.565486 | ￥85.65 |
| 100+ | ￥6.56393 | ￥656.39 |
| 500+ | ￥5.188877 | ￥2594.44 |
| 1000+ | ￥4.151109 | ￥4151.11 |
| 2000+ | ￥3.761951 | ￥7523.90 |
| 5000+ | ￥3.537873 | ￥17689.36 |
