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APTGT400SK120D3G

Microsemi photo

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制造商编号:
APTGT400SK120D3G
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 单路 1200 V 580 A 2100 W 底座安装 D3
规格说明书:
APTGT400SK120D3G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 单路
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 580 A
功率 - 最大值 2100 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值) 750 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 29 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 D-3 模块
供应商器件封装 D3
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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