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IXFP34N65X2M
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- 制造商编号：
- IXFP34N65X2M
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Ultra X2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 34A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 34A（Tc） 40W（Tc） TO-220 隔离的标片
- 规格说明书：
- IXFP34N65X2M说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 34A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3230 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 隔离的标片 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| R6030ENX | Rohm Semiconductor | ¥41.16000 | 类似 |
| R6030KNXC7 | Rohm Semiconductor | ¥29.80000 | 类似 |
| STF33N60DM2 | STMicroelectronics | ¥41.85000 | 类似 |
| IPA65R125C7XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥31.30380 | 类似 |
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥44.31000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥40.658197 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥70.94595 | ￥70.95 |
| 10+ | ￥64.10873 | ￥641.09 |
| 100+ | ￥53.072694 | ￥5307.27 |
| 500+ | ￥46.214784 | ￥23107.39 |
| 1000+ | ￥40.658197 | ￥40658.20 |
