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SI4396DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4396DY-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 16A（Tc） 3.1W（Ta），5.4W（Tc） 8-SOIC
- 规格说明书：
- SI4396DY-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1675 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），5.4W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| AO4468 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥4.38000 | 类似 |
| IRL6342TRPBF | Infineon Technologies | ¥5.22000 | 类似 |
| RS3E095BNGZETB | Rohm Semiconductor | ¥6.99000 | 类似 |
| RSH090N03TB1 | Rohm Semiconductor | ¥7.91000 | 类似 |
| DMG4710SSS-13 | Diodes Incorporated | ¥7.60000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥6.112965 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.492128 | ￥8.49 |
| 10+ | ￥6.980206 | ￥69.80 |
| 100+ | ￥6.112965 | ￥611.30 |
