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STI10N62K3

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制造商编号:
STI10N62K3
制造商:
ST意法半导体
系列:
SuperMESH3™
描述:
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
详细描述:
通孔 N 通道 620 V 8.4A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
规格说明书:
STI10N62K3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 SuperMESH3™
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 750 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1250 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I2PAK
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装 50

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型号 品牌 参考价格 说明
IRFSL9N60APBF Vishay Siliconix ¥22.96000 类似

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标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥11.713766 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥19.769376 ¥19.77
10+ ¥17.741461 ¥177.41
100+ ¥14.256953 ¥1425.70
500+ ¥11.713766 ¥5856.88

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