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DMN2016LFG-7

Diodes photo

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制造商编号:
DMN2016LFG-7
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 5.2A 770mW 表面贴装型 U-DFN3030-8
规格说明书:
DMN2016LFG-7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 18 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1472pF @ 10V
功率 - 最大值 770mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerUDFN
供应商器件封装 U-DFN3030-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.303426 ¥6.30
10+ ¥5.366461 ¥53.66
100+ ¥4.009344 ¥400.93
500+ ¥3.150231 ¥1575.12
1000+ ¥2.434251 ¥2434.25
3000+ ¥2.219444 ¥6658.33
6000+ ¥2.076266 ¥12457.60

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