DMN2016LFG-7
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- 制造商编号:
- DMN2016LFG-7
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 5.2A 770mW 表面贴装型 U-DFN3030-8
- 规格说明书:
- DMN2016LFG-7说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 18 毫欧 @ 6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1472pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 770mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerUDFN |
供应商器件封装 | U-DFN3030-8 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥2.264787 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥6.875764 | ¥6.88 |
10+ | ¥5.853725 | ¥58.54 |
100+ | ¥4.373384 | ¥437.34 |
500+ | ¥3.436266 | ¥1718.13 |
1000+ | ¥2.655276 | ¥2655.28 |
3000+ | ¥2.420965 | ¥7262.89 |
6000+ | ¥2.264787 | ¥13588.72 |