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FMM110-015X2F
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- 制造商编号：
- FMM110-015X2F
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 150V 53A 180W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™
- 规格说明书：
- FMM110-015X2F说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 53A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8600pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 180W |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 标准包装 | 25 |
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- 标准包装
- 25 / PCS
- 包装
- 管件
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