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STH180N10F3-2
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- 制造商编号：
- STH180N10F3-2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ III
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 180A（Tc） 315W（Tc） H2Pak-2
- 规格说明书：
- STH180N10F3-2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ III |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 114.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6665 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 315W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | H2Pak-2 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BUK965R8-100E,118 | Nexperia USA Inc. | ¥27.11000 | 类似 |
| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥23.35000 | 类似 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥44.745932 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥66.929907 | ￥66.93 |
| 10+ | ￥60.470668 | ￥604.71 |
| 100+ | ￥50.064018 | ￥5006.40 |
| 500+ | ￥44.746031 | ￥22373.02 |
| 1000+ | ￥44.745932 | ￥44745.93 |
