IXFP12N65X2M
![IXYS photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/IXYS.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/IXYS/3HFj8cve.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/IXYS/3HFj8cve.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IXFP12N65X2M
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- HiPerFET™, Ultra X2
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 12A TO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 12A(Tc) 40W(Tc) TO-220 隔离的标片
- 规格说明书:
- IXFP12N65X2M说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | HiPerFET™, Ultra X2 |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 310 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1134 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 40W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 隔离的标片 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STF16N60M2 | STMicroelectronics | ¥16.36000 | 类似 |
R6015FNX | Rohm Semiconductor | ¥47.69000 | 类似 |
STF13N60M2 | STMicroelectronics | ¥15.13000 | 类似 |
FCPF380N60E | Rochester Electronics, LLC | ¥6.69460 | 类似 |
STF16N60M6 | STMicroelectronics | ¥22.73000 | 直接 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥36.236149 | ¥36.24 |
10+ | ¥32.529325 | ¥325.29 |
100+ | ¥26.649813 | ¥2664.98 |
500+ | ¥22.68652 | ¥11343.26 |
1000+ | ¥19.1332 | ¥19133.20 |
2000+ | ¥18.636255 | ¥37272.51 |