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IXFP12N65X2M
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- 制造商编号：
- IXFP12N65X2M
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Ultra X2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 12A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 12A（Tc） 40W（Tc） TO-220 隔离的标片
- 规格说明书：
- IXFP12N65X2M说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 310 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1134 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 隔离的标片 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STF16N60M2 | STMicroelectronics | ¥16.36000 | 类似 |
| R6015FNX | Rohm Semiconductor | ¥47.69000 | 类似 |
| STF13N60M2 | STMicroelectronics | ¥15.13000 | 类似 |
| FCPF380N60E | Rochester Electronics, LLC | ¥6.69460 | 类似 |
| STF16N60M6 | STMicroelectronics | ¥22.73000 | 直接 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥20.32839 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥39.526319 | ￥39.53 |
| 10+ | ￥35.482922 | ￥354.83 |
| 100+ | ￥29.069562 | ￥2906.96 |
| 500+ | ￥24.74641 | ￥12373.20 |
| 1000+ | ￥20.870456 | ￥20870.46 |
| 2000+ | ￥20.32839 | ￥40656.78 |
