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IPP50R190CEXKSA1

Infineon photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IPP50R190CEXKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™ CE
描述:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
详细描述:
通孔 N 通道 500 V 18.5A(Tc) 127W(Tc) PG-TO220-3
规格说明书:
IPP50R190CEXKSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™ CE
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 6.2A,13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 510µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 47.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1137 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 127W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥14.585025 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥25.787224 ¥25.79
10+ ¥23.194825 ¥231.95
100+ ¥18.639538 ¥1863.95
500+ ¥15.314179 ¥7657.09
1000+ ¥14.585025 ¥14585.02

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