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QS8M11TCR

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
QS8M11TCR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 3.5A - 表面贴装型 TSMT8
规格说明书:
QS8M11TCR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 -
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 -
工作温度 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装 TSMT8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥3.32746 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥7.833149 ¥7.83
10+ ¥6.865817 ¥68.66
100+ ¥5.261265 ¥526.13
500+ ¥4.159328 ¥2079.66
1000+ ¥3.32746 ¥3327.46

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