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DMN67D8L-7
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- 制造商编号：
- DMN67D8L-7
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 60 V 210mA（Ta） 340mW（Ta） SOT-23-3
- 规格说明书：
- DMN67D8L-7说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 210mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.82 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 340mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| T2N7002AK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥1.23000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.330969 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.101273 | ￥2.10 |
| 10+ | ￥1.891146 | ￥18.91 |
| 100+ | ￥1.029375 | ￥102.94 |
| 500+ | ￥0.633068 | ￥316.53 |
| 1000+ | ￥0.431694 | ￥431.69 |
| 3000+ | ￥0.366952 | ￥1100.86 |
| 6000+ | ￥0.330969 | ￥1985.81 |
