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STL66N3LLH5

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制造商编号:
STL66N3LLH5
制造商:
ST意法半导体
系列:
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
描述:
MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
详细描述:
表面贴装,可润湿侧翼 N 通道 30 V 80A(Tc) 72W(Tc) PowerFlat™(5x6)
规格说明书:
STL66N3LLH5说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.8 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1500 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 72W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装 PowerFlat™(5x6)
封装/外壳 8-PowerVDFN
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies ¥6.45000 类似
BSC080N03LSGATMA1 Infineon Technologies ¥7.68000 类似
AON6414A Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.76000 类似
BSC057N03MSGATMA1 Infineon Technologies ¥8.06000 类似
BSC079N03LSCGATMA1 Infineon Technologies ¥6.37000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.057551 ¥15.06
10+ ¥13.507341 ¥135.07
100+ ¥10.858078 ¥1085.81
500+ ¥8.920932 ¥4460.47
1000+ ¥8.109887 ¥8109.89
3000+ ¥8.109887 ¥24329.66

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