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STB10LN80K5

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制造商编号:
STB10LN80K5
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ K5
描述:
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 800 V 8A(Tc) 110W(Tc) D²PAK(TO-263)
规格说明书:
STB10LN80K5说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ K5
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 630 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 427 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

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型号 品牌 参考价格 说明
IXFA10N60P IXYS ¥32.41000 类似

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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥19.005905 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥31.705604 ¥31.71
10+ ¥28.435575 ¥284.36
100+ ¥23.295537 ¥2329.55
500+ ¥19.83137 ¥9915.68
1000+ ¥19.005905 ¥19005.90

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