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APT150GN60B2G

Microchip photo

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制造商编号:
APT150GN60B2G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
IGBT 600V 220A 536W SOT227
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 220 A 536 W 通孔
规格说明书:
APT150GN60B2G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 220 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 450 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.85V @ 15V,150A
功率 - 最大值 536 W
开关能量 8.81mJ(开),4.295mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 970 nC
25°C 时 Td(开/关)值 44ns/430ns
测试条件 400V,150A,1 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3 变式
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
管件
单价:¥191.699949 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
30+ ¥191.699949 ¥5751.00

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