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SI7615CDN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7615CDN-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen III
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 35A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK® 1212-8
- 规格说明书：
- SI7615CDN-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen III |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 12A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3860 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 33W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.992587 | ￥4.99 |
| 10+ | ￥4.245979 | ￥42.46 |
| 100+ | ￥3.168013 | ￥316.80 |
| 500+ | ￥2.489203 | ￥1244.60 |
| 1000+ | ￥1.923366 | ￥1923.37 |
| 3000+ | ￥1.753697 | ￥5261.09 |
| 6000+ | ￥1.697126 | ￥10182.76 |
