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STN3NF06
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- 制造商编号：
- STN3NF06
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ II
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 60 V 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
- 规格说明书：
- STN3NF06说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ II |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 315 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSP318SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | ¥7.76000 | 类似 |
| IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies | ¥7.07000 | 类似 |
| IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies | ¥5.99000 | 类似 |
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥5.143333 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.69287 | ￥10.69 |
| 10+ | ￥9.539035 | ￥95.39 |
| 100+ | ￥7.435399 | ￥743.54 |
| 500+ | ￥6.142581 | ￥3071.29 |
| 1000+ | ￥5.14332 | ￥5143.32 |
| 4000+ | ￥5.143333 | ￥20573.33 |
