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SIHG22N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG22N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
- 规格说明书：
- SIHG22N60E-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1920 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 227W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCH22N60N | onsemi | ¥53.83000 | 类似 |
| IXFX48N60Q3 | IXYS | ¥215.95000 | 类似 |
| STW30N65M5 | STMicroelectronics | ¥51.07000 | 类似 |
| SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | ¥65.74000 | 类似 |
| STW28N60DM2 | STMicroelectronics | ¥33.94000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥25.208168 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥44.499747 | ￥44.50 |
| 10+ | ￥39.998795 | ￥399.99 |
| 100+ | ￥32.770663 | ￥3277.07 |
| 500+ | ￥27.897027 | ￥13948.51 |
| 1000+ | ￥25.208168 | ￥25208.17 |
