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TK100E06N1,S1X
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- 制造商编号：
- TK100E06N1,S1X
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- U-MOSVIII-H
- 描述：
- MOSFET N CH 60V 100A TO-220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- TK100E06N1,S1X说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.3 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 140 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10500 pF @ 30 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 255W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDP025N06 | onsemi | ¥39.24000 | 类似 |
| IPP024N06N3GXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥13.60350 | 类似 |
| AOT260L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥25.50000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥11.544657 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥25.016343 | ￥25.02 |
| 10+ | ￥22.43016 | ￥224.30 |
| 100+ | ￥18.033153 | ￥1803.32 |
| 500+ | ￥14.815743 | ￥7407.87 |
| 1000+ | ￥12.275813 | ￥12275.81 |
| 2000+ | ￥11.544657 | ￥23089.31 |
