PSMN008-75P,127
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- PSMN008-75P,127
- 制造商:
- NXP恩智浦
- 系列:
- TrenchMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 75 V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
- 规格说明书:
- PSMN008-75P,127说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | NXP(恩智浦) |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.5 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 122.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5260 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 230W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FDP16AN08A0 | Rochester Electronics, LLC | ¥4.71810 | 类似 |
FDP047N08 | onsemi | ¥27.34000 | 类似 |
STP76NF75 | STMicroelectronics | ¥21.27000 | 类似 |
IRF3808PBF | Infineon Technologies | ¥24.42000 | 类似 |
IRF2907ZPBF | Rochester Electronics, LLC | ¥28.19000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
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