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SISS02DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISS02DN-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 25 V 51A（Ta），80A（Tc） 5W（Ta），65.7W（Tc） PowerPAK® 1212-8S
- 规格说明书：
- SISS02DN-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 51A（Ta），80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 83 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +16V，-12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4450 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），65.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥6.913338 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.181389 | ￥15.18 |
| 10+ | ￥13.597352 | ￥135.97 |
| 100+ | ￥10.600737 | ￥1060.07 |
| 500+ | ￥8.756963 | ￥4378.48 |
| 1000+ | ￥6.913338 | ￥6913.34 |
| 3000+ | ￥6.913338 | ￥20740.01 |
