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NE3516S02-T1C-A

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制造商编号:
NE3516S02-T1C-A
制造商:
CEL
系列:
-
描述:
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
详细描述:
RF Mosfet N 沟道 GaAs HJ-FET 2 V 10 mA 12GHz 14dB 165mW S02
规格说明书:
NE3516S02-T1C-A说明书
在线客服:
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规格参数

属性 属性值
制造商 CEL
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
晶体管类型 N 沟道 GaAs HJ-FET
频率 12GHz
增益 14dB
电压 - 测试 2 V
额定电流(安培) 60mA
噪声系数 0.35dB
电流 - 测试 10 mA
功率 - 输出 165mW
电压 - 额定 4 V
封装/外壳 4-SMD,扁平引线
供应商器件封装 S02
标准包装 2,000

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型号 品牌 参考价格 说明
CE3512K2-C1 CEL ¥8.14000 类似

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标准包装
2,000 / PCS
包装
卷带(TR)
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