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APT21M100J

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制造商编号:
APT21M100J
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS 8™
描述:
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
详细描述:
底座安装 N 通道 1000 V 21A(Tc) 462W(Tc) ISOTOP®
规格说明书:
APT21M100J说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS 8™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 260 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 8500 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 462W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 ISOTOP®
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
标准包装 1

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型号 品牌 参考价格 说明
IXFN32N100P IXYS ¥268.86000 类似

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单价:¥301.619758 总价:¥0.00
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