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IAUS165N08S5N029ATMA1
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- 制造商编号：
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 80 V 165A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOG-8-1
- 规格说明书：
- IAUS165N08S5N029ATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 165A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 108µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 90 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6370 pF @ 40 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 167W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-HSOG-8-1 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSMD，鸥翼 |
| 标准包装 | 1,800 |
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- 标准包装
- 1,800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥28.980998 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥46.116111 | ￥46.12 |
| 10+ | ￥41.385138 | ￥413.85 |
| 100+ | ￥33.90821 | ￥3390.82 |
| 500+ | ￥28.980986 | ￥14490.49 |
| 1800+ | ￥28.980998 | ￥52165.80 |
