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STL13NM60N
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STL13NM60N
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ II
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 10A（Tc） 3W（Ta），90W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
- 规格说明书：
- STL13NM60N说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ II |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 385 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 790 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），90W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（8x8）HV |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥15.124195 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥34.279352 | ￥34.28 |
| 10+ | ￥30.745732 | ￥307.46 |
| 100+ | ￥25.1929 | ￥2519.29 |
| 500+ | ￥21.445844 | ￥10722.92 |
| 1000+ | ￥20.553251 | ￥20553.25 |
| 3000+ | ￥15.124195 | ￥45372.58 |
