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TSM026NA03CR RLG
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- 制造商编号：
- TSM026NA03CR RLG
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
- 规格说明书：
- TSM026NA03CR RLG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 168A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6 毫欧 @ 24A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2540 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PDFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RS1E280GNTB | Rohm Semiconductor | ¥6.37000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.631817 | ￥9.63 |
| 10+ | ￥8.587705 | ￥85.88 |
| 100+ | ￥6.69246 | ￥669.25 |
| 500+ | ￥5.528731 | ￥2764.37 |
| 1000+ | ￥4.364786 | ￥4364.79 |
| 2500+ | ￥4.073791 | ￥10184.48 |
