TSM026NA03CR RLG
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- 制造商编号:
- TSM026NA03CR RLG
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 168A(Tc) 125W(Tc) 8-PDFN(5x6)
- 规格说明书:
- TSM026NA03CR RLG说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 不适用于新设计 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 168A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.6 毫欧 @ 24A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2540 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 125W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-PDFN(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RS1E280GNTB | Rohm Semiconductor | ¥6.37000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥4.443683 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥10.506367 | ¥10.51 |
10+ | ¥9.367452 | ¥93.67 |
100+ | ¥7.300122 | ¥730.01 |
500+ | ¥6.030729 | ¥3015.36 |
1000+ | ¥4.7611 | ¥4761.10 |
2500+ | ¥4.443683 | ¥11109.21 |