SIHA100N60E-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIHA100N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- E
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 600 V 30A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
- 规格说明书:
- SIHA100N60E-GE3说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | E |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 13A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 50 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1851 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 35W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 整包 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥46.130134 | ¥46.13 |
10+ | ¥41.457848 | ¥414.58 |
100+ | ¥33.967144 | ¥3396.71 |
500+ | ¥28.915672 | ¥14457.84 |
1000+ | ¥26.128566 | ¥26128.57 |