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NTTFS1D2N02P1E
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- 制造商编号：
- NTTFS1D2N02P1E
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 25 V 23A（Ta），180A（Tc） 820mW（Ta），52W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- NTTFS1D2N02P1E说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 934µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +16V，-12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4040 pF @ 13 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 820mW（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥9.611572 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.854607 | ￥17.85 |
| 10+ | ￥16.013195 | ￥160.13 |
| 100+ | ￥12.868621 | ￥1286.86 |
| 500+ | ￥10.572737 | ￥5286.37 |
| 1000+ | ￥9.611572 | ￥9611.57 |
| 3000+ | ￥9.611572 | ￥28834.72 |
