DMT6009LCT
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- DMT6009LCT
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 60 V 37.2A(Tc) 2.2W(Ta),25W(Tc) TO-220-3
- 规格说明书:
- DMT6009LCT说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 37.2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12 毫欧 @ 13.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1925 pF @ 30 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.2W(Ta),25W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥8.320978 | ¥8.32 |
10+ | ¥7.458104 | ¥74.58 |
100+ | ¥5.813628 | ¥581.36 |
500+ | ¥4.802663 | ¥2401.33 |
1000+ | ¥3.791562 | ¥3791.56 |
2000+ | ¥3.538832 | ¥7077.66 |
5000+ | ¥3.446914 | ¥17234.57 |