IPW60R080P7XKSA1
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- 制造商编号:
- IPW60R080P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- CoolMOS™ P7
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 600 V 37A(Tc) 129W(Tc) PG-TO247-3
- 规格说明书:
- IPW60R080P7XKSA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | CoolMOS™ P7 |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 37A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 80 毫欧 @ 11.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 590µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 51 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2180 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 129W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
APT53N60BC6 | Microchip Technology | ¥66.58000 | 类似 |
IXFX80N60P3 | IXYS | ¥138.69000 | 类似 |
IXFX64N60P3 | IXYS | ¥107.59000 | 类似 |
SIHG44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | ¥79.18000 | 类似 |
IXKH47N60C | IXYS | ¥191.45000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥48.506614 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥69.230118 | ¥69.23 |
10+ | ¥62.571941 | ¥625.72 |
100+ | ¥51.804718 | ¥5180.47 |
500+ | ¥48.506614 | ¥24253.31 |