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IMZ120R060M1HXKSA1

Infineon photo

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制造商编号:
IMZ120R060M1HXKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolSiC™
描述:
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
详细描述:
通孔 N 通道 1200 V 36A(Tc) 150W(Tc) PG-TO247-4-1
规格说明书:
IMZ120R060M1HXKSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolSiC™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 78 毫欧 @ 13A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.7V @ 5.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31 nC @ 18 V
Vgs(最大值) +23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1060 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-4-1
封装/外壳 TO-247-4
标准包装 30

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型号 品牌 参考价格 说明
MSC040SMA120B4 Microchip Technology ¥174.71000 类似

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥116.599284 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥146.952364 ¥146.95
10+ ¥135.026083 ¥1350.26
100+ ¥116.599284 ¥11659.93

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