STB36NF06LT4
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- STB36NF06LT4
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- STripFET™ II
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 60 V 30A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
- 规格说明书:
- STB36NF06LT4说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | STripFET™ II |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±18V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 660 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 70W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | ¥12.52000 | 类似 |
IRLZ24NSTRLPBF | Infineon Technologies | ¥10.60000 | 类似 |
PHB32N06LT,118 | Nexperia USA Inc. | ¥11.06000 | 类似 |
FQB30N06LTM | onsemi | ¥11.29000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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1000+ | ¥8.569456 | ¥8569.46 |