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IRF7509TRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRF7509TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 2.7A,2A 1.25W 表面贴装型 Micro8™
规格说明书:
IRF7509TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.7A,2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 110 毫欧 @ 1.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 210pF @ 25V
功率 - 最大值 1.25W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商器件封装 Micro8™
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥8.320978 ¥8.32
10+ ¥7.300803 ¥73.01
100+ ¥5.594775 ¥559.48
500+ ¥4.422566 ¥2211.28
1000+ ¥3.685464 ¥3685.46
4000+ ¥3.685316 ¥14741.26

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