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STP9NM60N

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制造商编号:
STP9NM60N
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ II
描述:
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 6.5A(Tc) 70W(Tc) TO-220
规格说明书:
STP9NM60N说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ II
包装 管件
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 745 毫欧 @ 3.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 452 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 70W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥14.557721 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥27.018148 ¥27.02
10+ ¥24.252922 ¥242.53
100+ ¥19.490491 ¥1949.05
500+ ¥16.013493 ¥8006.75
1000+ ¥14.557721 ¥14557.72

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