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CSD18512Q5BT
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- 制造商编号：
- CSD18512Q5BT
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 40 V 211A（Tc） 139W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
- 规格说明书：
- CSD18512Q5BT说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 211A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7120 pF @ 20 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 139W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-VSON-CLIP（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 250 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSC014N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | ¥26.11000 | 类似 |
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- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥11.329805 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥21.012733 | ￥21.01 |
| 10+ | ￥18.869186 | ￥188.69 |
| 100+ | ￥15.169453 | ￥1516.95 |
| 250+ | ￥14.243202 | ￥3560.80 |
| 500+ | ￥12.462888 | ￥6231.44 |
| 1000+ | ￥11.329805 | ￥11329.81 |
