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APT44GA60BD30C

Microsemi photo

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制造商编号:
APT44GA60BD30C
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
POWER MOS 8™
描述:
IGBT 600V 78A 337W TO247
详细描述:
IGBT PT 600 V 78 A 337 W 通孔 TO-247 [B]
规格说明书:
APT44GA60BD30C说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 POWER MOS 8™
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 78 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 130 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.6V @ 15V,26A
功率 - 最大值 337 W
开关能量 409µJ(开),450µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 128 nC
25°C 时 Td(开/关)值 16ns/102ns
测试条件 400V,26A,4.7 欧姆,15V
工作温度 -
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 [B]
标准包装 30

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货期
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标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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