在线客服 
RGT8NS65DGC9
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RGT8NS65DGC9
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 65 W 通孔 TO-262
- 规格说明书：
- RGT8NS65DGC9说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 12 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，4A |
| 功率 - 最大值 | 65 W |
| 开关能量 | - |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 13.5 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 17ns/69ns |
| 测试条件 | 400V，4A，50欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 40 ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.106222 | ￥16.11 |
| 10+ | ￥14.461404 | ￥144.61 |
| 100+ | ￥11.621443 | ￥1162.14 |
| 500+ | ￥9.548037 | ￥4774.02 |
| 1000+ | ￥7.911267 | ￥7911.27 |
| 2000+ | ￥7.720785 | ￥15441.57 |
