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STP38N65M5

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制造商编号:
STP38N65M5
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ V
描述:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 30A(Tc) 190W(Tc) TO-220
规格说明书:
STP38N65M5说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ V
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 95 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 71 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3000 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 190W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies ¥82.56000 类似
AOT42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥49.69000 类似

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货期
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标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥35.425118 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥59.009723 ¥59.01
10+ ¥52.994362 ¥529.94
100+ ¥43.42101 ¥4342.10
500+ ¥36.963586 ¥18481.79
1000+ ¥35.425118 ¥35425.12

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