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RD3H200SNFRATL
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RD3H200SNFRATL
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101
- 描述：
- MOSFET N-CH 45V 20A TO252
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 45 V 20A（Ta） 20W（Tc） TO-252
- 规格说明书：
- RD3H200SNFRATL说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 45 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 950 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 20W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥6.379341 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.467361 | ￥15.47 |
| 10+ | ￥13.797533 | ￥137.98 |
| 100+ | ￥10.760136 | ￥1076.01 |
| 500+ | ￥8.888486 | ￥4444.24 |
| 1000+ | ￥7.017283 | ￥7017.28 |
| 2500+ | ￥6.549458 | ￥16373.64 |
| 5000+ | ￥6.379341 | ￥31896.71 |
