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IRLD120
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- 制造商编号：
- IRLD120
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
- 规格说明书：
- IRLD120说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 780mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 490 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | 4-HVMDIP |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 管件
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