CMPDM303NH TR
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- 制造商编号:
- CMPDM303NH TR
- 制造商:
- Central美国中央
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 3.6A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23F
- 规格说明书:
- CMPDM303NH TR说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Central(美国中央) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 1.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | 12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 590 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 350mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23F |
封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
SSM3K329R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥3.46000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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