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TSM2NB65CH X0G

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
TSM2NB65CH X0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 2A(Tc) 65W(Tc) TO-251(IPAK)
规格说明书:
TSM2NB65CH X0G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 390 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 65W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251(IPAK)
封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak
标准包装 75

价格库存

库存
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货期
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标准包装
75 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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