SCT3120ALGC11
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SCT3120ALGC11
- 制造商:
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列:
- -
- 描述:
- SICFET N-CH 650V 21A TO247N
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 21A(Tc) 103W(Tc) TO-247N
- 规格说明书:
- SCT3120ALGC11说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 156 毫欧 @ 6.7A,18V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.6V @ 3.33mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38 nC @ 18 V |
Vgs(最大值) | +22V,-4V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 460 pF @ 500 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 103W(Tc) |
工作温度 | 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247N |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 450 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IXFH22N65X2 | IXYS | ¥54.83000 | 类似 |
FCH22N60N | onsemi | ¥53.83000 | 类似 |
STW24N60DM2 | STMicroelectronics | ¥41.39000 | 类似 |
IXFH30N60X | IXYS | ¥63.82000 | 类似 |
IXTH20N65X2 | IXYS | ¥53.60000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 450 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥69.850621 | ¥69.85 |
10+ | ¥63.140265 | ¥631.40 |
100+ | ¥52.276373 | ¥5227.64 |
500+ | ¥45.521472 | ¥22760.74 |
1000+ | ¥40.048297 | ¥40048.30 |