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STWA50N65DM2AG
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- 制造商编号：
- STWA50N65DM2AG
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 38A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 38A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
- 规格说明书：
- STWA50N65DM2AG说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 87 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 69 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3200 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 600 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFX64N60P3 | IXYS | ¥107.59000 | 类似 |
| SIHG44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | ¥79.18000 | 类似 |
| APT47N60BC3G | Microchip Technology | ¥107.59000 | 类似 |
| TK35N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥57.52000 | 类似 |
| FCH070N60E | onsemi | ¥61.82000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 600 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥63.367503 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 600+ | ￥63.367503 | ￥38020.50 |
